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| Numéro d'article | VS-2EFH01HM3/I |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 2A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 2A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 16ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 100V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-219AB |
| Package de périphérique fournisseur | DO-219AB (SMF) |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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VS-2EFH01-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HF 100V 2A DO219AB | - | 0 | Détails |
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VS-2EFH01HM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB | - | 0 | Détails |
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VS-2EFH02-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB | - | 0 | Détails |
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VS-2EFH02HM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB | - | 0 | Détails |
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VS-2EFU06-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE UF 600V 2A DO219AB | - | 0 | Détails |
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VS-2EFU06HM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE UF 600V 2A DO219AB | - | 0 | Détails |
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VS-2EGH01-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | - | 400828 | Détails |
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VS-2EGH02-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA | - | 400828 | Détails |
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VS-2EGH02HM3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE FRED ULT FAST 200V SMB | - | 0 | Détails |
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VS-2EGH02HM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | - | 0 | Détails |
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VS-2EJH01-M3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC | - | 0 | Détails |