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Numéro d'article | SQA470EEJ-T1_GE3 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.25A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 453pF @ 20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 13.6W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paquet / cas | PowerPAK® SC-70-6 |