SQ4940AEY-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
SQ4940AEY-T1_GE3 P1
SQ4940AEY-T1_GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SQ4940AEY-T1_GE3

Numéro d'article
SQ4940AEY-T1_GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SQ4940AEY-T1_GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SQ4940AEY-T1_GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 20V
Puissance - Max 4W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC

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