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Numéro d'article | SQ4153EY-T1_GE3 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 6V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 7.1W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |