SISS46DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S
SISS46DN-T1-GE3 P1
SISS46DN-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SISS46DN-T1-GE3

Numéro d'article
SISS46DN-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SISS46DN-T1-GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article SISS46DN-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta), 45.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2140pF @ 50V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8S
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8S

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