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| Numéro d'article | SIS447DN-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 181nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5590pF @ 10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 52W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
| Paquet / cas | PowerPAK® 1212-8 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 | - | 12000 | Détails |
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SIS444DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212 | - | 169158 | Détails |
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SIS447DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212 | - | 164642 | Détails |
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SIS448DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | - | 0 | Détails |