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| Numéro d'article | SIAA00DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 25V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 20.1A (Ta), 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 12.5V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paquet / cas | PowerPAK® SC-70-6 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SIAA00DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 25V | - | 213139 | Détails |