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| Numéro d'article | SIA923EDJ-T4-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Preliminary |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SIA923AEDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L | 0 | Détails | |
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SIA923EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6 | - | 0 | Détails |
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SIA923EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V SC-70-6 | - | 21008 | Détails |