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Numéro d'article | SIA456DJ-T1-GE3 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±16V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.38 Ohm @ 750mA, 4.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paquet / cas | PowerPAK® SC-70-6 |