Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
Numéro d'article | SI7613DN-T1-GE3 |
---|---|
État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2620pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 17A, 10V |
Température de fonctionnement | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
Paquet / cas | PowerPAK® 1212-8 |