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Numéro d'article | SI5999EDU-T1-GE3 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
FET Caractéristique | Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 496pF @ 10V |
Puissance - Max | 10.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® ChipFet Dual |