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| Numéro d'article | SI4226DY-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 25V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1255pF @ 15V |
| Puissance - Max | 3.2W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SI4226DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | - | 0 | Détails |
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SI4226DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | - | 0 | Détails |
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SI4228DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO | - | 0 | Détails |
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SI4228DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | - | 0 | Détails |