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| Numéro d'article | SI2305DS-T1-E3 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 8V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1245pF @ 4V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SI2300-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 866581 | Détails |
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SI2300DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 | - | 36000 | Détails |
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SI2301-TP | Micro Commercial Co | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | - | 0 | Détails |
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SI2301A-TP | Micro Commercial Co | P-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 866581 | Détails |
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SI2301BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | - | 81000 | Détails |
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SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | - | 3000 | Détails |
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SI2301CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | - | 84000 | Détails |
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SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | - | 108000 | Détails |
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SI2302-TP | Micro Commercial Co | MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 | - | 15000 | Détails |
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SI2302A-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 469591 | Détails |
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SI2302ADS-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | - | 0 | Détails |
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SI2302ADS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | - | 0 | Détails |