SI1539CDL-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V SOT363
SI1539CDL-T1-GE3 P1
SI1539CDL-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI1539CDL-T1-GE3

Numéro d'article
SI1539CDL-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N/P-CH 30V SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SI1539CDL-T1-GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SI1539CDL-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 700mA, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 388 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 28pF @ 15V
Puissance - Max 340mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SOT-363

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