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| Numéro d'article | GL41A-E3/97 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 1A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Package de périphérique fournisseur | DO-213AB |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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GL4100 | Sharp Microelectronics | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL | 0 | Détails | |
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GL4100E0000F | Sharp Microelectronics | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL | 0 | Détails | |
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GL41A-E3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | Détails |
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GL41A-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 10000 | Détails |
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GL41AHE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | Détails |
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