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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ BYG10G-E3/TR3

Numéro d'article	BYG10G-E3/TR3
État de la pièce	Active
Type de diode	Avalanche
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1.5A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.15V @ 1.5A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	4µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseur	DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	Vue
BYG10D-E3/TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A	-	Détails
BYG10D-E3/TR3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A	-	Détails
BYG10D-M3/TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A		Détails
BYG10D-M3/TR3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A		Détails
BYG10DHE3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	Détails
BYG10DHE3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	Détails
BYG10DHM3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	Détails
BYG10DHM3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	Détails
BYG10G-E3/TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 1.5A	-	Détails
BYG10G-E3/TR3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 1.5A	-	Détails
BYG10G-M3/TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 1.5A		Détails
BYG10G-M3/TR3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 1.5A		Détails