2N4338-E3

MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
2N4338-E3 P1
2N4338-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ 2N4338-E3

Numéro d'article
2N4338-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - JFET
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Numéro d'article 2N4338-E3
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) 50V
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 200µA @ 15V
Drain de courant (Id) - Max -
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id 300mV @ 100nA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V
Résistance - RDS (On) -
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-206AA (TO-18)

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