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| Numéro d'article | TPH4R10ANL,L1Q |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 92A (Ta), 70A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6.3nF @ 50V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.5W (Ta), 67W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOP Advance (5x5) |
| Paquet / cas | 8-PowerVDFN |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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