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| Numéro d'article | TPCF8104(TE85L,F,M |
|---|---|
| État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1760pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | VS-8 (2.9x1.5) |
| Paquet / cas | 8-SMD, Flat Lead |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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TPCF8101(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 12V 6A VS-8 | 0 | Détails | |
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TPCF8102(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A | 0 | Détails | |
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TPCF8104(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 6A VS-8 | 0 | Détails | |
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TPCF8107,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 6A VS-8 | - | 435 | Détails |