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Numéro d'article | TPC8A06-H(TE12LQM) |
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État de la pièce | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | Schottky Diode (Body) |
Dissipation de puissance (Max) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.1 mOhm @ 6A, 10V |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | 8-SOP (5.5x6.0) |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |