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| Numéro d'article | TPC6110(TE85L,F,M) |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | VS-6 (2.9x2.8) |
| Paquet / cas | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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TPC6110(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 | - | 0 | Détails |
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TPC6111(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6 | - | 0 | Détails |
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TPC6113(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 5A VS6 | - | 0 | Détails |