TPC6009-H(TE85L,FM

MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
TPC6009-H(TE85L,FM P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPC6009-H(TE85L,FM

Numéro d'article
TPC6009-H(TE85L,FM
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article TPC6009-H(TE85L,FM
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81 mOhm @ 2.7A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur VS-6 (2.9x2.8)
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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