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| Numéro d'article | TK9J90E,S1E |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 900V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-3P(N) |
| Paquet / cas | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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TK9J90E,S1E | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 900V TO-3PN | - | 1365 | Détails |