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| Numéro d'article | TK5Q60W,S1VQ |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 270µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | Super Junction |
| Dissipation de puissance (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.7A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | I-Pak |
| Paquet / cas | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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TK5Q60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK | - | 236 | Détails |
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TK5Q65W,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK | - | 315 | Détails |