TK5A60W,S4VX

MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS
TK5A60W,S4VX P1
TK5A60W,S4VX P2
TK5A60W,S4VX P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK5A60W,S4VX

Numéro d'article
TK5A60W,S4VX
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TK5A60W,S4VX PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article TK5A60W,S4VX
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.4A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 2.7A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220SIS
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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