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| Numéro d'article | TK28N65W,S1F |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 27.6A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.6mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 13.8A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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TK28A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS | - | 230 | Détails |
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TK28N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247 | - | 130 | Détails |