TK100E06N1,S1X

MOSFET N CH 60V 100A TO-220
TK100E06N1,S1X P1
TK100E06N1,S1X P2
TK100E06N1,S1X P1
TK100E06N1,S1X P2
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK100E06N1,S1X

Numéro d'article
TK100E06N1,S1X
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TK100E06N1,S1X PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article TK100E06N1,S1X
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220
Paquet / cas TO-220-3

Produits connexes

Tous les produits