SSM6L09FUTE85LF

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
SSM6L09FUTE85LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6L09FUTE85LF

Numéro d'article
SSM6L09FUTE85LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SSM6L09FUTE85LF PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SSM6L09FUTE85LF
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur US6

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