SSM3J338R,LF

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
SSM3J338R,LF P1
SSM3J338R,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3J338R,LF

Numéro d'article
SSM3J338R,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article SSM3J338R,LF
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 6V
Vgs (Max) ±10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.6 mOhm @ 6A, 8V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23F
Paquet / cas SOT-23-3 Flat Leads

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