GT10J312(Q)

IGBT 600V 10A 60W TO220SM
GT10J312(Q) P1
GT10J312(Q) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ GT10J312(Q)

Numéro d'article
GT10J312(Q)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article GT10J312(Q)
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 10A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max 60W
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 400ns/400ns
Condition de test 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 200ns
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur TO-220SM

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