CUHS20S30,H3F

SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
CUHS20S30,H3F P1
CUHS20S30,H3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ CUHS20S30,H3F

Numéro d'article
CUHS20S30,H3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- CUHS20S30,H3F PDF online browsing
Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article CUHS20S30,H3F
État de la pièce Active
Type de diode Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Courant - Rectifié moyen (Io) 2A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 410mV @ 2A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 500µA @ 30V
Capacitance @ Vr, F 390pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 2-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur US2H
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)

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