TPS2811DR

IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC
TPS2811DR P1
TPS2811DR P1
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Texas Instruments ~ TPS2811DR

Numéro d'article
TPS2811DR
Fabricant
Texas Instruments
La description
IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article TPS2811DR
État de la pièce Active
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Synchronous
Nombre de pilotes 2
Type de porte N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4 V ~ 14 V
Tension logique - VIL, VIH 1V, 4V
Courant - sortie de crête (source, évier) 2A, 2A
Type d'entrée Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 14ns, 15ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC

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