CSD19506KCS

MOSFET N-CH 80V TO-220-3
CSD19506KCS P1
CSD19506KCS P1
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Texas Instruments ~ CSD19506KCS

Numéro d'article
CSD19506KCS
Fabricant
Texas Instruments
La description
MOSFET N-CH 80V TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article CSD19506KCS
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 156nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12200pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220-3
Paquet / cas TO-220-3

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