TSN525M60 S4G

DIODE GEN PURP 60V 25A 8PDFN
TSN525M60 S4G P1
TSN525M60 S4G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSN525M60 S4G

Numéro d'article
TSN525M60 S4G
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
La description
DIODE GEN PURP 60V 25A 8PDFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TSN525M60 S4G PDF online browsing
Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article TSN525M60 S4G
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 60V
Courant - Rectifié moyen (Io) 25A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 630mV @ 25A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 500µA @ 60V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur 8-PDFN (5x6)
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C

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