TSM2537CQ RFG

MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
TSM2537CQ RFG P1
TSM2537CQ RFG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM2537CQ RFG

Numéro d'article
TSM2537CQ RFG
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
La description
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TSM2537CQ RFG PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article TSM2537CQ RFG
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11.6A (Tc), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 677pF @ 10V, 744pF @ 10V
Puissance - Max 6.25W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 6-TDFN (2x2)

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