STL8N65M2

MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
STL8N65M2 P1
STL8N65M2 P1
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STMicroelectronics ~ STL8N65M2

Numéro d'article
STL8N65M2
Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STL8N65M2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur -
Paquet / cas -

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