STL15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV
STL15N60M2-EP P1
STL15N60M2-EP P1
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STMicroelectronics ~ STL15N60M2-EP

Numéro d'article
STL15N60M2-EP
Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STL15N60M2-EP
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 100V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 418 mOhm @ 4.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerFlat™ (5x6)
Paquet / cas 8-PowerVDFN

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