STF26N60DM6

N-CHANNEL 600 V 0.110 OHM TYP. 2
STF26N60DM6 P1
STF26N60DM6 P1
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STMicroelectronics ~ STF26N60DM6

Numéro d'article
STF26N60DM6
Fabricant
STMicroelectronics
La description
N-CHANNEL 600 V 0.110 OHM TYP. 2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- STF26N60DM6 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STF26N60DM6
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 100V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 30W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220FP
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack

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