STB7ANM60N

MOSFET N-CH 600V DPAK
STB7ANM60N P1
STB7ANM60N P2
STB7ANM60N P1
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STMicroelectronics ~ STB7ANM60N

Numéro d'article
STB7ANM60N
Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 600V DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STB7ANM60N
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 363pF @ 50V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 2.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D2PAK
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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