L6491DTR

IC GATE DVR 4A HIGH/LOW 14SOIC
L6491DTR P1
L6491DTR P1
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STMicroelectronics ~ L6491DTR

Numéro d'article
L6491DTR
Fabricant
STMicroelectronics
La description
IC GATE DVR 4A HIGH/LOW 14SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- L6491DTR PDF online browsing
Famille
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Numéro d'article L6491DTR
État de la pièce Active
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes -
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 10 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 1.45V, 2V
Courant - sortie de crête (source, évier) 4A, 4A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 600V
Rise / Fall Time (Typ) 15ns, 15ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -

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