Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | S1KW8C-1P |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 8000V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 4A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 8V @ 3A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 8000V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Module |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S1K | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 1A SMA | - | 15000 | Détails |
|
S1K M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | - | 1279335 | Détails |
|
S1K R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | - | 978315 | Détails |
 |
S1K-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 1A SMA | 0 | Détails | |
 |
S1K-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 1A SMA | - | 40000 | Détails |
 |
S1K-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | - | 0 | Détails |
 |
S1K-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | - | 1800 | Détails |
|
S1K-F | SMC Diode Solutions | SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER | - | 25822 | Détails |
|
S1K-LTP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA | - | 1033100 | Détails |
 |
S1K-M3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1A 800V DO-214AC | - | 0 | Détails |
 |
S1K-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1A 800V DO-214AC | - | 0 | Détails |
|
S1K-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA | - | 211 | Détails |