TT8K11TCR

MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
TT8K11TCR P1
TT8K11TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ TT8K11TCR

Numéro d'article
TT8K11TCR
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article TT8K11TCR
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate, 4V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 71 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1A
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur 8-TSST

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