RSS065N03FU6TB

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
RSS065N03FU6TB P1
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Rohm Semiconductor ~ RSS065N03FU6TB

Numéro d'article
RSS065N03FU6TB
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article RSS065N03FU6TB
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 6.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOP
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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