RF081LAM2STR

DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM
RF081LAM2STR P1
RF081LAM2STR P1
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Rohm Semiconductor ~ RF081LAM2STR

Numéro d'article
RF081LAM2STR
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article RF081LAM2STR
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1.1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 980mV @ 1A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 25ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOD-128
Package de périphérique fournisseur PMDTM
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)

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