R6030MNX

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
R6030MNX P1
R6030MNX P1
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Rohm Semiconductor ~ R6030MNX

Numéro d'article
R6030MNX
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article R6030MNX
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2180pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 90W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220FM
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack

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