IMB9AT110

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
IMB9AT110 P1
IMB9AT110 P2
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Rohm Semiconductor ~ IMB9AT110

Numéro d'article
IMB9AT110
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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Numéro d'article IMB9AT110
État de la pièce Not For New Designs
Type de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 300mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-74, SOT-457
Package de périphérique fournisseur SMT6

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