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Numéro d'article | IMB9AT110 |
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État de la pièce | Not For New Designs |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
Résistance - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) | 47k |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | SC-74, SOT-457 |
Package de périphérique fournisseur | SMT6 |