HP8S36TB

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
HP8S36TB P1
HP8S36TB P1
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Rohm Semiconductor ~ HP8S36TB

Numéro d'article
HP8S36TB
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- HP8S36TB PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article HP8S36TB
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique -
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 27A, 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 15V
Puissance - Max 29W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur 8-HSOP

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