DTC363EUT106

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DTC363EUT106 P1
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Rohm Semiconductor ~ DTC363EUT106

Numéro d'article
DTC363EUT106
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
DTC363EUT106.pdf DTC363EUT106 PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
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Numéro d'article DTC363EUT106
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 600mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 20V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 6.8k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 6.8k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 200MHz
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur UMT3

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