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| Numéro d'article | BAS16HMFHT116 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 215mA (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
| Capacitance @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Package de périphérique fournisseur | SSD3 |
| Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BAS16 | Panasonic Electronic Components | DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3 | - | 12000 | Détails |
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BAS16 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | - | 2010383 | Détails |
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BAS16,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23 | 60000 | Détails | |
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BAS16,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23 | 10000 | Détails | |
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BAS16-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | - | 0 | Détails |
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BAS16-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | - | 168000 | Détails |
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BAS16-D87Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3 | - | 5250 | Détails |
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BAS16-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | - | 24000 | Détails |
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BAS16-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | - | 0 | Détails |
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BAS16-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 | 0 | Détails | |
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BAS16-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | - | 0 | Détails |
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BAS16-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | - | 0 | Détails |