NVMFS6H801NT1G

TRENCH 8 80V NFET
NVMFS6H801NT1G P1
NVMFS6H801NT1G P1
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ON Semiconductor ~ NVMFS6H801NT1G

Numéro d'article
NVMFS6H801NT1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
TRENCH 8 80V NFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NVMFS6H801NT1G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article NVMFS6H801NT1G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 157A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4120pF @ 40V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / cas 8-PowerTDFN, 5 Leads

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